RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
69
Wokół strony -188% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.3
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
14.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
7.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2124
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information AQD-SD4U8GE21-SG 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-4400C19-32GVK 32GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
HT Micron HTH5AN8G8NCJR-VKD 8GB
Kingston KHX1866C10D3/8GX 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS8213.C8FH1 8GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Wilk Elektronik S.A. W-HK26S16G 16GB
AMD AE34G2139U2 4GB
SK Hynix HMA82GU6DJR8N-VK 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5471-020.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
G Skill Intl F4-2800C18-16GRS 16GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Micron Technology 16ATF1G64HZ-2G1B1 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Corsair CMD16GX4M4C3200C16 4GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G240081 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G1B1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link