RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
16.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
69
Wokół strony -200% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.7
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
16.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
11.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2575
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Transcend Information TS512MLH64V1H 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 99U5469-045.A00LF 4GB
Samsung M471A2K43CB1-CRCR 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Samsung M395T5663QZ4-CE66 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GS6MFR8A
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3B1 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FBR 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M386A8K40BM1-CRC 64GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA266.C8FN 8GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
Kingston KHX3200C16D4/4GX 4GB
Kingston 99U5471-033.A00LF 4GB
Kingston 9905712-035.A00G 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-2400 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link