RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
69
Wokół strony -214% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
17.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
2801
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Qimonda 72T128420EFA3SB2 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.M8FH 8GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/4G 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GSJF62F-DA---------- 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Transcend Information TS2GSH64V1B 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 C15 Series 4GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESEK.M8FE 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GVS 16GB
Kingston 99U5584-004.A00LF 4GB
Corsair CMK32GX4M4C3333C16 8GB
Avant Technology F641GU67F9333G 8GB
Avant Technology J642GU42J2320NQ 16GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G3A2 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Essencore Limited KD44GU480-26N160T 4GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-4GVKB 4GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
Crucial Technology BL8G30C15U4R.M8FE 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link