RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB vs Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wynik ogólny
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
69
83
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
14.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,857.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
69
83
Prędkość odczytu, GB/s
4,217.2
14.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,857.7
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
668
1774
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M3 78T2953EZ3-CE7 1GB
Kingston 99U5712-002.A00G 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Corsair CMH32GX4M2E3200C16 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Wilk Elektronik S.A. GY2666D464L16S/8G 8GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Kingston 9965662-002.A01G 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-2400C17-8GSXK 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-4266C17-16GTRGB 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZKY 16GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-E16G48ME-26V 16GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2666D19321C 32GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Kllisre M378A5143EB2-CRC 4GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Corsair CMD16GX4M2B3200C16 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Kingston 9905702-136.A00G 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CM4B16G7L2666A16K2-O 16GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link