RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
58
Wokół strony -132% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
25
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3729
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDR2 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
Crucial Technology CT16G4SFD8266 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung 18ASF1G72PDZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA266.C8FB 16GB
Kingston KHX1600C9D3/8G 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GTZR 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200S464L22S/8G 8GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Corsair CMV4GX3M1B1600C11 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBR2 8GB
Kingston 9905403-174.A00LF 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4000C19 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
SpecTek Incorporated PSD34G13332 4GB
Kingmax Semiconductor GLLG43F-D8KBGA------ 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3600C18-16GTZN 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link