RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
23
58
Wokół strony -152% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
17.8
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
23
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
18.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
17.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3905
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
SK Hynix HYMP512S64CP8-Y5 1GB
AMD R7416G2400U2S 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 2OZ 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KF3200C20S4/16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Teikon TMA851S6AFR6N-UHHC 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2J1 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-3466C16-4GVK 4GB
Kingston 39P5429-006.AO01 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Corsair CML8GX3M2A1600C9 4GB
SK Hynix HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Kingston 9905471-076.A00LF 8GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-20-20 D4-3200
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PZ-2G3B1 16GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 9ASF1G72PZ-2G3B1 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Corsair CMK32GX4M4C3400C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link