RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
70
Wokół strony 17% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.8
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
70
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
8.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
1971
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT41GU7MFR8A-H9 8GB
Crucial Technology BL8G30C15U4B.M8FE1 8GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
A-DATA Technology AM1P26KC8T1-BAAS 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2AW1 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-4GRR 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Avexir Technologies Corporation T-20181206 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N24-FFFHA0 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-S8G48ME-26V 8GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Micron Technology HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
Unifosa Corporation HU564404EP0200 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MB-24RX 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor GLAG43F-18---------- 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Eudar Technology Inc. 8GXMP3000CL16 8GB
Ramos Technology RMB4GB58BCA3-13HC 4GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSTK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link