RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
58
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.6
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
13.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2807
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Kingston 9905678-121.A00G 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSC.8FD2 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Netac Technology Co Ltd E40832A 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
V-GEN D4H8GS24A8 8GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-3G2J1 4GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
EXCELERAM D4168G8HHSS9CJRB21 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSC.16FBR2 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FDD2 4GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GNT 8GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Corsair CMK16GX4M4C3200C15 4GB
Mushkin 991586 2GB
SK Hynix HMA84GL7AFR4N-UH 32GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6AFR8N
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-GR26C16S8K2HU416 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link