RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
71
Wokół strony 18% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
71
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
1813
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB Porównanie pamięci RAM
Kingston 9905403-444.A00LF 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Essencore Limited KD44GU481-26N1600 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
InnoDisk Corporation M4SI-BGS2OC0K-A 32GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
A-DATA Technology DDR4 3333 2OZ 4GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Century Micro Inc. CENTURY JAPAN MEMORY 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Corsair CMK8GX4M2B3600C18 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FBD 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Micron Technology CT4G4DFS8213.8FA11 4GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRBB 8GB
Kingston 9965525-144.A00LF 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GTZRB 8GB
Avant Technology F6451U64F9333G 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IWGKSEG 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G6E1 4GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-3600C18-8GTZN 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GU6AFR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link