RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
58
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3040
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-2933C14-16GTZRX 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 4ATF1G64AZ-3G2B1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston CBD26D4U9D8ME-16 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT16G4SFRA32A.C16FJ 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
Corsair CMK64GX4M4A2133C13 16GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL16G32C16S4B.16FE 16GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-VK 4GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FE 8GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFRA266.M8FB 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Essencore Limited IM48GU88N26-GIIHMB 8GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R017D408GX2-3600C18A 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6CJR8N
AMD R538G1601U2S 8GB
Corsair CMW16GX4M2Z3600C18 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link