RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
58
Wokół strony -81% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.0
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
32
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
20.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
15.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3593
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-3000C15-8GVKB 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
AMD R538G1601U2S 8GB
DSL Memory D4SS12082SH21A-A 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-XN 8GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Kingston 9965589-037.D00G 8GB
Kingston 99U5403-465.A00LF 8GB
Samsung V-GeN D4S4GL32A8TL 4GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE800SO102408-3200 8GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Corsair CMSX32GX4M2A2933C19 16GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Kingston 9905668-001.A00G 8GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZR 16GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Avant Technology W642GU42J7240N8 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Corsair CMK32GX4M2E3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link