RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
24
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
58
Wokół strony -100% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
20.0
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
29
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
24.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
20.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
4156
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
V-GEN D4S8GL32A8TS 8GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Micron Technology 4ATF1G64HZ-3G2E1 8GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GFX 4GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZN 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8266.C16FD1 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2A2400C14 4GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix V-GeN D4H4GL26A8TL 4GB
Apacer Technology 78.A1GC6.9H10C 2GB
Micron Technology AFLD44EK2P 4GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4W.M16FE1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FAR 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston KM0VW4-MID 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link