RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
21.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
58
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.4
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
24
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
21.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
19.4
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
4250
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTRG 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-8GTZ 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL16-18-18 D4-3200
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
G Skill Intl F4-4000C15-8GTZR 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
Crucial Technology CT8G4DFS8266.K8FB 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
V-GEN D4H8GL26A8TS6 8GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Panram International Corporation M424016 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C16 Series 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
Super Talent F24UB16GV 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Samsung M393A4K40BB1-CRC 32GB
SK Hynix HMA82GS6CJR8N-VK 16GB
G Skill Intl F4-4400C16-8GVK 8GB
Kingston 99U5458-008.A00LF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GR7AFR8N
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
SK Hynix HMA84GL7MMR4N-TF 32GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Ramaxel Technology RMSA3310MJ86H9F-3200 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link