RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
19.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
26
58
Wokół strony -123% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.5
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
26
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
19.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
15.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3515
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Corsair CMD16GX4M2B2400C10 8GB
Kingston 99U5471-056.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-3000C15-4GTZ 4GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Crucial Technology BLT8G4D26AFTA.16FBD 8GB
Nanya Technology M2Y51264TU88B0B-3C 512MB
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
SK Hynix 8GB
Crucial Technology BLM8G40C18U4B.M8FE1 8GB
Nanya Technology M2N1G64TUH8D5F-AC 1GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMK8GX4M2C3000C16 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZSW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905701-021.A00G 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G1A1 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A1866C9 8GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
G Skill Intl F4-4400C18-8GTZR 8GB
Crucial Technology CT102464BA160B.M16 8GB
Kingston 9905668-002.A00G 8GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link