RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
11.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
34
58
Wokół strony -71% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.5
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
34
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
11.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
9.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2319
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N-TF 8GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M378A1K43BB1-CPB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G2139U2 4GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U8G48MA-24R 8GB
Kingston HP669238-071-HYC 4GB
G Skill Intl F4-2400C15Z8GNT 8GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Wilk Elektronik S.A. GY2400D464L15S/8G 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.M16FJ1 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0836144B 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Essencore Limited IM4AGU88N26-GIIHMB 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Smart Modular SF4642G8CK8I8HLSBG 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Kingston 9905678-156.A00G 8GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Kingston KHX2666C16/16G 16GB
Kingston KF2666C15S4/8G 8GB
Team Group Inc. DDR4 3600 8GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G37 8GB
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Corsair CMR16GX4M2C3200C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link