RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
58
Wokół strony -66% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
9.5
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.1
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
35
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
9.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
6.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
1853
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CM4B16G2L2666A18K2 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Samsung M391A2K43BB1-CPB 16GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965596-016.B01G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Kingston XN205T-MIE2 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
Wilk Elektronik S.A. GR2400D464L17S/8G 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston KHX2133C14/16G 16GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology 78.CAGPN.DF40B 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Crucial Technology BL8G32C16U4B.M8FE1 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Kingston KHX2666C15S4/16G 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Micron Technology 9ASF51272PZ-2G3B1 4GB
Micron Technology 16HTF25664AY-800J1 2GB
Crucial Technology CT25664AA800.C16FH 2GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston KHX2133C13D4/4GX 4GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Apacer Technology GD2.11173T.001 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link