RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
58
Wokół strony -93% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.3
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
6400
Wokół strony 3.33 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
30
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
11.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
21300
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3086
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HP26D4U9D8ME-16X 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMWX16GC3600C18W2D 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Chun Well Technology Holding Limited MD4U0836165BCW 8GB
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Corsair CMK16GX4M2A2400C14 8GB
Kingston HP698651-154-MCN 8GB
Crucial Technology CT4G4SFS8213.C8FHP 4GB
Elpida EBJ10UE8BAFA-AE-E 1GB
Kingston KY7N41-MIE 8GB
AMD AE34G2139U2 4GB
Kingston 9905712-010.A00G 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston KHX2800C14D4/8GX 8GB
Kingston KF3733C19D4/16GX 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD480E86-3200 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT125S6AFP8C
Corsair CMV8GX4M1A2133C15 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston XN205T-HYD2 16GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Kingston KF2666C13D4/8GX 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CMD128GX4M8B3200C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link