RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.4
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
58
Wokół strony -87% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.2
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
31
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
11.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2447
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 4ATF51264HZ-2G3B2 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Asgard VMA45UH-MEC1U2AW2 16GB
Samsung M378T5663QZ3-CF7 2GB
Samsung M378A1K43DB2-CTD 8GB
Kingston 99U5584-005.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1Z3200C16 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Samsung M393B1G70QH0-YK0 8GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Gold Key Technology Co Ltd GKE160SO102408-3200 16GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Corsair CMK8GX4M2B3200C16 4GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GRB 4GB
Samsung M393B2G70BH0-YK0 16GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3B1 4GB
Samsung M378A5244CB0-CTD 4GB
Corsair CMW16GX4M2Z3200C16 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA82GR7AFR8N-VK 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Corsair CMK32GX4M4A2133C13 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Corsair CMD8GX4M2B3600C18 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link