RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
15.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
38
58
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.5
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
38
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
15.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
10.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2346
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3H1R 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
SK Hynix HMA81GU6DJR8N-XN 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Samsung M471A2K43BB1-CTD 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Corsair CMSX32GX4M1A2666C18 32GB
Samsung M378B5273DH0-CH9 4GB
Kingston 9905702-010.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
SK Hynix HMA84GR7JJR4N-VK 32GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
Essencore Limited KD48GU880-32N220T 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CMD16GX4M4B3000C14 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
Ramaxel Technology RMR5040ED58E9W1600 4GB
Crucial Technology BLS8G4D32AESEK.M8FE1 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
Corsair CMH16GX4M2Z3600C18 8GB
Kingston 9905403-437.A01LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.M8FA 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRG 16GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C19 Series 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link