RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
21
58
Wokół strony -176% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
21
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
3168
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB Porównanie pamięci RAM
G Skill Intl F4-4000C15-8GVK 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GSXWB 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Gold Key Technology Co Ltd NMUD416E82-4600C 16GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
A-DATA Technology AM2P32NC8W1-BCFS 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CM4X16GE2666C18S4 16GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Apacer Technology GD2.1140CH.001 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Panram International Corporation W4U2400PS-4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kingston 9905744-027.A00G 16GB
Kingston 9905403-134.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.M8FADG 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Micron Technology AFLD48VH1P 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Kingston 9905711-032.A00G 8GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Transcend Information TS2GSH64V6B 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Avant Technology J642GU42J7240NF 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSB.M16FAD 8GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
InnoDisk Corporation M4S0-AGS1O5IK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link