RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
20.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
22
58
Wokół strony -164% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
18.5
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
22
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
18.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
4324
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 3866 C18 Series 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Smart Modular SG564568FG8N6KF-Z2 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology CT51264BD160B.C16F 4GB
Corsair CMW16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GTZR 16GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Crucial Technology CT16G4DFRA32A.C16FP 16GB
Micron Technology 16JTF25664AZ-1G4F1 2GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FBD1 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Golden Empire CL15-17-17 D4-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-UD4-3200 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G21332S 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A4G43AB1-CWE 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
Corsair CML8GX3M2A1866C9 4GB
Panram International Corporation W4U2400PS-8G 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Crucial Technology BLS16G4D32AEST.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVR 8GB
Kingston 9905403-515.A00LF 8GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3466C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link