RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
4
12.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
58
Wokół strony -41% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.7
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
6400
Wokół strony 3 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
41
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
12.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
10.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
19200
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2621
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
PUSKILL PJ16TFK1GM8 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Micron Technology M471A1K43BB1-CRC 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 99P5723-006.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLT4G4D30AETA.K8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
Crucial Technology BLS8G3N169ES4.16FE 8GB
Kingston 9905702-002.A00G 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2400 CL16 16GB 16G
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
G Skill Intl F4-2666C15-8GVR 8GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
Transcend Information JM3200HLB-16G 16GB
G Skill Intl F3-1600C9-4GAO 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZSK 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTZN 32GB
Kingston 99U5474-013.A00LF 2GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Mushkin 99[2/7/4]191F 4GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4B.M16FE1 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link