RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB vs SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Wynik ogólny
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
58
59
Wokół strony 2% niższe opóźnienia
Powody do rozważenia
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
9
4
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
7.6
1,950.7
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
6400
Wokół strony 2.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
58
59
Prędkość odczytu, GB/s
4,241.0
9.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,950.7
7.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
6400
17000
Other
Opis
PC2-6400, SSTL 1.8V, CAS Supported: 4 5 6
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
5-5-5-15 / 800 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
651
2128
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB Porównanie pamięci RAM
Corsair VS1GB800D2 1GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-4GVK 4GB
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Crucial Technology BLS4G4D26BFSB.8FE 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
SK Hynix HMA451R7AFR8N-TF 4GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GVKB 8GB
Lexar Co Limited LD4AU016G-H3200GST 16GB
Crucial Technology BL8G36C16U4BL.M8FE1 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Crucial Technology CT8G4DFRA32A.C4FE 8GB
Ramaxel Technology RMR5030ME68F9F1600 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZKW 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Apacer Technology 78.B1GM3.AF00B 4GB
Corsair CMSX4GX3M1A1600C9 4GB
Corsair CMW128GX4M8C3200C16 16GB
Corsair CMZ16GX3M2A2400C10 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GFX 16GB
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Crucial Technology BLE4G4D32AEEA.K8FD 4GB
Samsung M3 78T2953EZ3-CF7 1GB
Kingston 9965596-036.B00G 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZSK 8GB
Kingston 9905469-153.A00LF 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G320081 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link