RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
12.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
39
46
Wokół strony -18% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
11.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
39
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
12.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
11.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2089
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AM1P26KC4U1-BACS 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 99U5584-007.A00LF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Avant Technology W642GU42J2320NH 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CMW16GX4M2K3600C16 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE800SO51208
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4266C19-8GTZA 8GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Smart Modular SF4641G8CK8IEGKSBG 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Kingston 9905630-005.A00G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Kingston ACR24D4U7D8MB-16 16GB
Corsair CMD8GX3M2A2933C12 4GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GRBB 8GB
Crucial Technology CT51264BD1339.M16F 4GB
Corsair CMK32GX4M2D3200C16 16GB
Kingston MSI16D3LS1MNG/8G 8GB
Kingston MSI24D4U7S8MH-8 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Chun Well Technology Holding Limited CL18-22-22 D4-3600
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-UH 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C15-8GTZKO 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link