RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
57
Wokół strony 19% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
25600
3200
Wokół strony 8 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
57
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
25600
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-25600, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
20-20-20, 22-22-22, 24-24-24 / 3200 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2792
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1E34RCSV1-BF1S 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M378A1K43EB2-CWE 8GB
Transcend Information JM2666HSE-16G 16GB
G Skill Intl F3-2133C9-4GAB 4GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
SK Hynix HMA851S6CJR6N-XN 4GB
Corsair CMK16GX4M2Z3466C16 8GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA451R7MFR8N
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B.C16 8GB
Crucial Technology BLM16G44C19U4BL.M8FB 16GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CF7 2GB
Essencore Limited IM48GU48N28-GGGHM 8GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
SK Hynix HMA82GU7AFR8N-UH 16GB
Kingston 9905316-106.A02LF 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FJ 16GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Kingston KHX4800C19D4/8GX 8GB
ASint Technology SSA302G08-EGN1C 4GB
Samsung M393A1G40DB1-CRC 8GB
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMD64GX4M8A2666C15 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD32GX4M4B3333C16 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link