RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
15.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
15.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3729
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
A-DATA Technology AO1P32MC8T1-BW3S 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Corsair CMSX16GX4M1A2666C18 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FE 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3B2 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Corsair CM4X16GF3200C22S2 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GVR 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-4000C16-16GVKA 16GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Heoriady M378A1K43BB2-CTD 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FHP 8GB
Kingston 9905403-447.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXWB 8GB
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Kingston 9905678-033.A00G 4GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Smart Modular SF4641G8CK8I8HLSBG 8GB
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS8213.C8FH1 8GB
Samsung M3 93T5750CZA-CE6 2GB
Panram International Corporation M424051 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link