RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2606U2S 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs AMD R748G2606U2S 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
AMD R748G2606U2S 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
61
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
AMD R748G2606U2S 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2606U2S 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
61
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2028
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
AMD R748G2606U2S 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Team Group Inc. UD5-6400 16GB
Kingston KHX4000C19D4/8GX 8GB
SK Hynix HMT41GU7BFR8A-PB 8GB
Essencore Limited KD4AGU880-36A180X 16GB
G Skill Intl F3-2400C11-8GSR 8GB
Corsair CMD16GX4M2B3866C18 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
AMD R748G2606U2S 8GB
Samsung M471A5244CB0-CWE 4GB
Asgard VMA41UH-MEC1U2AW1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTZ 8GB
Essencore Limited KD48GU88C-26N1600 8GB
AMD R948G3206U2S 8GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Kingston KHX2666C16/8G 8GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905702-137.A00G 8GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Golden Empire CL16-18-18 D4-3000 16GB
Swissbit MEU25664D6BC2EP-30 2GB
Crucial Technology BL32G32C16U4WL.M16FB 32GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Crucial Technology BLE16G4D30AEEA.K16FB 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Corsair CMK16GX4M4A2800C16 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link