RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
11.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
6.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
11.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
6.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1426
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.B1GS6.AUC0B 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Corsair CMSO4GX3M1C1600C11 4GB
Shenzhen Xingmem Technology Corp KRE-D4U2400M/4G 4GB
Crucial Technology CT25664BA160B.C16F 2GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2666 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston 9965639-002.A01G 8GB
A-DATA Technology DDR2 800G 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD824A.C16FBD2 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Corsair CM4X8GF2133C13K4 8GB
Samsung M471B5173DB0-YK0 4GB
Corsair CMWX8GD3200C16W2E 8GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
Crucial Technology CT16G4DFD832A.C16FP 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
Crucial Technology CT8G4DFS824A.C8FE 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Avant Technology W6451U48J7240N6 4GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
Kingston MSI26D4S9S8HJ-8 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Crucial Technology BL16G36C16U4W.M16FE1 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Crucial Technology CT8G4DFS832A.M8FR 8GB
SK Hynix HYMP125U64CP8-S6 2GB
Kingston 9965690-002.A00G 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link