RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.7
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.7
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3205
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB Porównanie pamięci RAM
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
Kingston 9905471-002.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SpecTek Incorporated ?????????????????? 2GB
Corsair CMG16GX4M2D3600C18 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Corsair CMT32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Apacer Technology 78.C1GQB.4032B 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Kingston MSI24D4S7S7MH-16 16GB
AMD R538G1601U2S-UO 8GB
Corsair CMK16GX4M4A2666C15 4GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Samsung M471A1G43DB0-0-B 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-16GTZSW 16GB
Kingston 9905403-011.A03LF 2GB
Micron Technology 16GB 2133MHz DIMM 16GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Asgard VMA45UG-MEC1U2BQ2 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR2133D464L15/8G 8GB
Kingston HX318C10FK/4 4GB
G Skill Intl F4-3000C14-16GVRD 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Ramaxel Technology RMT3010EC58E8F1333 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2800 C18 Series 16GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Kingston HP32D4U8S8ME-8X 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link