RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
61
Wokół strony 25% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.2
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
61
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.2
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2089
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Asgard VMA44UG-MEC1U2AW1 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
Kingston 9905700-025.A00G 8GB
takeMS International AG TMS2GB264D082-805G 2GB
Atla Electronics Co. Ltd. AD4SST8GT1WB-FQGE 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
V-Color Technology Inc. TL48G26S8KRRGB16 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Micron Technology 72ASS8G72LZ-2G6D2 64GB
Samsung M471B5173QH0-YK0 4GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Kingmax Semiconductor GLAG42F-18---------- 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
SanMax Technologies Inc. SMD4-U4G26SC-26V 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 4GB 4GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
SK Hynix HMA41GR7MFR4N-TF 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
SK Hynix HMA41GR7MFR8N-TFT1 8GB
AMD AE34G1601U1 4GB
Essencore Limited IM44GU48A30-FGGHAB 4GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Crucial Technology BLT8G4D30AETA.K16FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Samsung M378A1K43BB1-CTD 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
V-Color Technology Inc. TL8G36818C-E0P2AAS 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link