RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
15.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
15.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2316
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avant Technology W6451U66J5213ND 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Kingston 99U5403-036.A00G 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Apacer Technology GD2.1527CS.001 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
DSL Memory CIR-W4SUSS2408G 8GB
SK Hynix HMT351R7EFR8C-RD 4GB
Kingston HP26D4S9D8MJ-16 16GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Samsung M393A2K40CB2-CTD 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Kingston HX432C15PB3/16 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
SK Hynix HMA851U6CJR6N-UH 4GB
Samsung M378B5173BH0-CH9 4GB
Corsair CMW32GX4M2D3600C18 16GB
Samsung M3 78T2863EHS-CF7 1GB
Kingston 9905703-008.A00G 16GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
Kingston ACR26D4S9S8ME-8 8GB
Samsung M3 78T5663RZ3-CE6 2GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZSK 8GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Kingston 9905625-076.A00G 8GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E86-3000 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2400E 8G
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW32GX4M2C3466C16 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link