RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
46
63
Wokół strony 27% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
63
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1863
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 C17 4GB 4GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266682 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
Kingston KHX2400C15D4/4G 4GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-16GTZ 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
Corsair CMW64GX4M8X3600C18 8GB
Kingmax Semiconductor FLGF65F-C8KJ9A 4GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston KVR533D2N4 512MB
Kingston KC6844-ELG37 1GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Kingston CBD24D4S7S8ME-8 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMK64GX4M2D3600C18 32GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
Corsair CMU32GX4M2C3000C16 16GB
TwinMOS 9DNPBNZB-TATP 4GB
Crucial Technology BLS8G4D30AESBK.M8FE 8GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FG 2GB
Corsair CMW32GX4M2D3000C16 16GB
A-DATA Technology DDR3 1600 4GB
Golden Empire CL14-16-16 D4-2400 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link