RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.5
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.5
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 12 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2703
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB Porównanie pamięci RAM
Samsung M393B1G70BH0-CK0 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HYMP112U64CP8-S5 1GB
Kingston 9905624-010.A00G 4GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Avexir Technologies Corporation DDR4-3600 CL17 4GB 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
AMD R744G2133U1S 4GB
Kingston 99P5471-002.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
G Skill Intl F4-2800C18-8GRS 8GB
G Skill Intl F4-4000C14-16GTZR 16GB
SK Hynix HMA82GS6DJR8N-VK 16GB
AMD R5S38G1601U2S 8GB
Golden Empire CL18-20-20 D4-3200 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMW32GX4M2C3200C16 16GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-lnd-2133 8GB
Samsung M393B1K70CH0-CH9 8GB
Corsair CMK16GX4M2A2666C16 8GB
Samsung M4 70T2864QZ3-CF7 1GB
Samsung M474A2K43BB1-CPB 16GB
Kingston 9965516-430.A00G 16GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FE 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Kingston KF3200C16D4/8GX 8GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR3200D464L22S/16G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link