RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
10.5
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
35
46
Wokół strony -31% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
35
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
10.5
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
1998
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Chun Well Technology Holding Limited CL19-20-20 D4-3600 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
G Skill Intl F3-14900CL8-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-4133C19-4GTZ 4GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FA11 8GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston KV0M5R-MIE 8GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-8GSXWB 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Corsair CM4X32GE2666C18S2 32GB
Kingston 2GB-DDR2 800Mhz 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston KHX2133C15S4/8G 8GB
Micron Technology 16JSF25664HZ-1G1F1 2GB
Kingston 9905663-008.A00G 16GB
Kingmax Semiconductor KLDE88F-B8MO5 2GB
Corsair CMK16GX4M2F4500C19 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
JUHOR JHD3000U1908JG 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2400 16GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GVK 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Netac Technology Co Ltd EKBLACK4163216AD 8GB
Elpida EBJ81UG8BBU0-GN-F 8GB
Cortus SAS 8ATF1G64AZ-2G6E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link