RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2792
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 2800 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
SK Hynix HMT151R7TFR4C-H9 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD2 4GB
Corsair CMY16GX3M4A2133C8 4GB
Panram International Corporation W4U2666PS-8GC19 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Kingston KWTHG4-MIE 16GB
Samsung M393B5170FH0-CK0 4GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSB.8FBD 4GB
Kingston 99U5584-010.A00LF 4GB
Kingston 9905702-121.A00G 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-8GRS 8GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
Corsair CMK16GX4M2K3600C19 8GB
Peak Electronics 256X64M-67E 2GB
Micron Technology 8ATF1G64HZ-2G3E1 8GB
Samsung M4 70T5663CZ3-CE6 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.C16FDD 16GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Kingston 9965662-016.A00G 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link