RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2792
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Samsung DDR3 8GB 1600MHz 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS632A.C4FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
Super Talent F3200UA8G 8GB
G Skill Intl F3-14900CL9-4GBSR 4GB
G Skill Intl F4-3000C15-8GRRB 8GB
Crucial Technology CT51264BA1339.C16F 4GB
Kingston X5H5PW-MIE 8GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BN-AD 2GB
Wilk Elektronik S.A. IRXS2666D464L16S/8G 8GB
G Skill Intl F5-6400J3239G16G 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.8FBD 4GB
Samsung M471A1G44AB0-CWE 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-3G2E1 16GB
Kingston 9965472-006.A01LF 2GB
Micron Technology 4ATF51264AZ-2G3E1 4GB
PNY Electronics 4GBH2X02E99927-16 4GB
Corsair CMU32GX4M4C3400C16 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Samsung V-GeN D4S8GL24A8 8GB
Samsung M378A1G43DB0-CPB 8GB
Crucial Technology CT8G4SFS824A.M8FA 8GB
Kingston 99U5315-023.A00LF 512MB
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link