RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2792
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Micron Technology 16HTF25664HY-800J2 2GB
A-DATA Technology AD5U48008G-B 8GB
Micron Technology 16JTF51264HZ-1G6M1 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.M16FB 8GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTRS 16GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GTZNB 8GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
ISD Technology Limited KD48GU880-32A160X 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C18 Series 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZ 8GB
Corsair CM2X1024-6400 1GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GTZSW 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Crucial Technology CT8G4DFS632A.M4FB 8GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Kingston 9965433-034.A00LF 4GB
EVGA 16G-D4-2666-MR 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Apacer Technology 78.C1GMM.BAC0B 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-2G3E1 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link