RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
10.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
10.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2792
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMD16GX4M4B2400C10 4GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
TwinMOS 8DPT5MK8-TATP 2GB
Chun Well Technology Holding Limited D4U0832161B 8GB
Samsung M471B5773DH0-CK0 2GB
G Skill Intl F4-3200C14-16GTZR 16GB
A-DATA Technology AD73I1C1674EV 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G3B1 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
SK Hynix HMA81GU6AFR8N-UH 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.C16FDD 16GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
Crucial Technology CT16G4SFD824A.M16FA 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
AMD R744G2400U1S-UO 4GB
Kingston 99U5474-010.A00LF 2GB
Avant Technology J642GU42J5213NF 16GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
Thermaltake Technology Co Ltd R009D408GX2-3600C18B 8GB
Corsair CMY8GX3M2A2666C10 4GB
G Skill Intl F4-2133C15-8GFX 8GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GR26C16S8K2HU416 8GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
G Skill Intl F4-3300C16-8GTZ 8GB
Elpida EBJ21UE8BDF0-DJ-F 2GB
Crucial Technology B|B8G4D30BET4K.C8FD 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Kllisre DDR4-8GB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link