RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
32
46
Wokół strony -44% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
32
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3293
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Corsair CMSX32GX4M2A3200C22 16GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
AMD AE34G1601U1 4GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston X2YH1K-MIE 16GB
Kingston K531R8-MIN 4GB
Apacer Technology 78.BAGMD.AF20B 4GB
Kingston 99U5474-028.A00LF 4GB
SK Hynix HMAA4GU6AJR8N-XN 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2A2666C16 16GB
Apacer Technology 78.01G86.9H50C 1GB
A-DATA Technology DDR4 4133 8GB
A-DATA Technology DQVE1908 512MB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA82GU6MFR8N
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Samsung M391A1G43DB0-CPB 8GB
Kingston 99U5429-014.A00LF 4GB
SK Hynix HMA84GL7AMR4N-TF 32GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD44G213382 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Micron Technology 18ASF1G72PDZ-2G1A1 8GB
AMD R534G1601U1S-UO 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GTZ 4GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Kingston KYXC0V-MID 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
G Skill Intl F4-3200C15-16GVK 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link