RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
19
46
Wokół strony -142% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.7
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
19
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3735
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMK32GX4M2B3333C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6AFR8A
Kingston 9905630-051.A00G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GVK 8GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Mushkin 99[2/7/4]190F 4GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
SK Hynix HMA41GU6AFR8N-TF 8GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Apacer Technology GD2.1831WS.002 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
Corsair CMD16GX4M4C3200C15 4GB
Crucial Technology BLT2G3D1608DT1TX0 2GB
Panram International Corporation PUD43000C154G4NJW 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD38G1600L2S 8GB
Kingston 9905624-023.A00G 8GB
Corsair CM3X8GA2400C11Y2R 8GB
Kingston 9905700-013.A00G 8GB
Strontium EVMT8G1600U86S 8GB
Ramaxel Technology RMSA3330ME88HCF-3200 32GB
Samsung M391B5673EH1-CH9 2GB
G Skill Intl F4-4000C18-8GTZRB 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Kingston RB26D4U9D8MEH-16 16GB
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3E1 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C18 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link