RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
18.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
18.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3458
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9965525-140.A00LF 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2C3600C18 8GB
Kingston 99U5428-018.A00LF 8GB
SK Hynix HMA42GR7AFR4N-TF 16GB
STEC (Silicon Tech) S1024R3NN2QK-I 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-8GRR 8GB
Kingston 9905403-038.A00LF 4GB
Crucial Technology BL8G32C16U4W.8FE 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Corsair CMR16GX4M2C3466C16 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FD2 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-2400C15-16GFXR 16GB
Nanya Technology NT4GC64B8HG0NS-CG 4GB
Gloway International Co. Ltd. TYA4U2400D17081C 8GB
G Skill Intl F3-2800C12-8GTXDG 8GB
Kingston 9905678-012.A00G 8GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
SK Hynix HMA81GU6JJR8N-VK 8GB
Kingston KHX3200C18D4/8G 8GB
Corsair CMK16GX4M2K4400C19 8GB
A-DATA Technology DDR3L 1333G 4GB
A-DATA Technology DDR4 3200 2OZ 4GB
Elpida EBJ40EG8BFWB-JS-F 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA81GS6CJR8N
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link