RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
17
46
Wokół strony -171% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
21.4
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
19.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
17
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
21.4
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
19.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3775
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR16GX4M2K4266C19 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Unifosa Corporation GU332G0ALEPR8H2C6F 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
G Skill Intl F4-4000C17-8GTRS 8GB
Corsair CML16GX3M2A1600C10 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2B2 16GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Kingston HP24D4R7D4MAM-32 32GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Apacer Technology 78.C2GF2.AU00B 8GB
Kingston KF552C40-16 16GB
Ramaxel Technology RMSA3270MB76H8F2400 2GB
Protocol Engines Kingrock 800 2GB 2GB
Corsair CMK16GX4M1A2400C14 16GB
Kingston ACR16D3LS1KBG/8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G3H1 16GB
Nanya Technology M2F8G64CB8HC9N-DI 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSE.16FB 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT42GR7MFR4A
G Skill Intl F4-3200C14-8GFX 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Micron Technology 8ATF1G64AZ-3G2R1 8GB
Samsung M471B5173EB0-YK0 4GB
Corsair CMK16GX4M4A2400C14 4GB
Kingston 99P5471-043.A00LF 8GB
Crucial Technology BLE8G4D30AEEA.K16FD 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
A-DATA Technology AX4S2800316G18-B 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2400 CL11 Series 8GB
Kingston KCDT82-MIE 4GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link