RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.8
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
24
46
Wokół strony -92% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
24
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.8
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
4005
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3333C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Ramaxel Technology RMT3170EB68F9W1600 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 2666 C15 Series 4GB
Samsung M378B5273CH0-CH9 4GB
Corsair CMT32GX4M2E3200C16 16GB
Kingston 9905471-001.A01LF 2GB
G Skill Intl F4-4000C19-4GVK 4GB
Kingston 99U5584-001.A00LF 4GB
GIGA - BYTE Technology Co Ltd GP-ARS16G32 8GB
G Skill Intl F2-5300CL4-1GBSA 1GB
G Skill Intl F4-2800C15-8GVSB 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
SK Hynix HMT31GR7CFR4C-PB 8GB
Crucial Technology CT4G4DFS8266.C8FE 4GB
Samsung M471B5673FH0-CF8 2GB
Apacer Technology GD2.1827CS.003 8GB
Micron Technology 8ATF2G64HZ-3G2E2 16GB
Corsair CM4X8GD3200C16K2E 8GB
Ramos Technology EWB8GB681CA3-16IC 8GB
Corsair CMK16GX4M2L3200C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G32002 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD416G320081 16GB
Samsung M471B5273DH0-CK0 4GB
G Skill Intl F4-3333C16-8GTZKW 8GB
Samsung M378B5673FH0-CH9 2GB
Corsair CMR32GX4M2C3000C15 16GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLE8G4D34AEEAK.K8FB 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link