RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
19.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
25
46
Wokół strony -84% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.3
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
25
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
19.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.3
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
4052
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMR32GX4M2F3600C18 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Crucial Technology BLS8G3N18AES4.16FE 8GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Micron Technology 18ADF2G72AZ-2G3A1 16GB
A-DATA Technology AD73I1B1672EG 2GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KM9 2GB
G Skill Intl F4-2666C18-8GFX 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT41GU6BFR8C
Ramaxel Technology RMSA3320KE78HAF-3200 8GB
Apacer Technology 78.B1GET.AU00C 4GB
A-DATA Technology AO1E34RCTV2-BZWS 32GB
Nanya Technology NT2GT64U8HD0BY-AD 2GB
Micron Technology AFSD416ES1P 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA84GR7MFR4N
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSCK.8FD 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-VK 8GB
SK Hynix HYMP512U64CP8-Y5 1GB
Kingmax Semiconductor GSAF62F-D8---------- 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Crucial Technology BL16G36C16U4WL.M16FE 16GB
G Skill Intl F3-17000CL9-4GBXLD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 4000 C16 Series 8GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
G Skill Intl F4-3600C18-32GTRS 32GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link