RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 11 12 13 14 15 16 18
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3359
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Kingston XVTW4H-MIE 32GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMSX32GX4M2A3000C16 16GB
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
Kingston HP26D4S9S8HJ-8 8GB
Kingston 9905469-124.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-3600C16-8GTESC 8GB
G Skill Intl F3-2666C12-8GTXD 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G6H1 16GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
Crucial Technology CT8G4DFD8213.C16FDD2 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
G Skill Intl F4-3400C16-8GSXW 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-Y5 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-8GVKA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Essencore Limited KD48GU880-34A170X 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Kingston KVR26N19D8/16 16GB
SK Hynix HMT451S6BFR8A-PB 4GB
Cortus SAS 8ATF51264AZ-2G1A1 4GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston MSI24D4S7S8MH-8 8GB
AMD R5316G1609U2K 8GB
SK Hynix HMA851U6JJR6N-VK 4GB
Corsair VSA2GSDS667C4 2GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4LF8GB528528266
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link