RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Powody do rozważenia
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość odczytu, GB/s
20.9
2
Średnia wartość w badaniach
Większa szybkość zapisu, GB/s
16.9
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
20.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
16.9
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 7 8 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23 24
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3835
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMT16GX4M2C3600C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
PUSKILL DDR3 1600 8G 8GB
Micron Technology 16ATF2G64HZ-2G1B1 16GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
Micron Technology 36ASF4G72LZ-2G3A1 32GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Samsung M471A5244CB0-CTD 4GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Teikon TMA851U6CJR6N-VKSC 4GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Micron Technology TEAMGROUP-UD4-2400 16GB
SK Hynix HMA451U6AFR8N-TF 4GB
Kingston 9905624-008.A00G 8GB
SK Hynix HMT42GR7AFR4A-PB 16GB
Kingston 9965600-023.A00G 16GB
PNY Electronics PNY 2GB
Kingston 9965600-027.A01G 16GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
Crucial Technology BLS8G4D240FSE.M16FAD 8GB
SK Hynix HYMP112U64CP8-S6 1GB
G Skill Intl F4-4800C19-8GTZRC 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-3466C16-8GTZR 8GB
Wilk Elektronik S.A. GY1866D364L9A/4G 4GB
Corsair CM4X16GE2666C16K8 16GB
Ramaxel Technology RMT3020EC58E9F1333 4GB
Crucial Technology BLS8G4S26BFSDK.8FBD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
Crucial Technology BLS8G4S240FSDK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link