RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.7
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.7
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 25
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3304
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Apacer Technology AQD-D4U8GN24-SE 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Corsair CMV8GX4M1A2666C18 8GB
SK Hynix HMT325U6CFR8C-PB 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GU6MFR8N
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
G Skill Intl F4-2133C15-16GRS 16GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston 9965669-032.A00G 16GB
Kingston 99U5584-017.A00LF 4GB
Corsair CMK8GX4M1D3000C16 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD22G8002 2GB
Kingston KMKYF9-MIH 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMK16GX4M4B3333C16 4GB
Samsung M471B5273CH0-CH9 4GB
Panram International Corporation W4N2666PS-16G 16GB
Kingston KHX1600C9S3L/4G 4GB
Kingston XF875V-MIH 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
UMAX Technology D4-2400-4GB-512X8-L 4GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Corsair CMW64GX4M4C3466C16 16GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Corsair CM4B16G4J2400A16K2-O 16GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMA41GR7AFR8N
Samsung M378B5673EH1-CF8 2GB
G Skill Intl F4-3733C17-8GTZKK 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link