RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
14.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
30
46
Wokół strony -53% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
30
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
14.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3332
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL16G32C16U4BL.16FE 16GB
Kingston 9905403-090.A01LF 4GB
Hong Kong Hyunion Electronics DDR4 3200 2OZ 16GB
Team Group Inc. Vulcan-1600 4GB
Crucial Technology BL8G30C15U4W.8FE 8GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
Smart Modular SMS4WEC8C2K0446FCG 16GB
Samsung M3 78T2863QZS-CF7 1GB
Panram International Corporation PUD42400C154G2NJK 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Shanghai Kuxin Microelectronics Ltd NMUD480E82-2666 8GB
G Skill Intl F3-12800CL7-4GBXM 4GB
G Skill Intl F4-3600C19-8GSXK 8GB
G Skill Intl F2-8500CL5-2GBPI 2GB
Kingston XJ69DF-HYA 8GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKH800UD51208-1600 8GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSBK.8FBD 8GB
Kingston 9905471-006.A00LF 4GB
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Kingston KN2M64-ETB 8GB
Avant Technology W641GU67J5213N8 8GB
Kingston 9965525-018.A00LF 4GB
G Skill Intl F4-4000C19-16GTZSW 16GB
Samsung M4 70T2953EZ3-CE6 1GB
Corsair CMW64GX4M4E3200C16 16GB
Kingston ACR256X64D3S1333C9 2GB
Hypertec G2RT-4AFT00 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link