RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17.3
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
28
46
Wokół strony -64% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
14.1
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
28
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.3
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
14.1
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 12 13 14 15 16 17 18 19 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3367
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Patriot Memory (PDP Systems) 1866 CL9 Series 4GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M386B4G70DM0-CMA4 32GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2800 CL15 4GB 4GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Avant Technology J641GU42J7240N3 8GB
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G30C15U4BL.M8FE1 8GB
A-DATA Technology VDQVE1B16 2GB
Transcend Information AQD-SD4U16GN21-SE 16GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology DDR4 2400 2OZ 8GB
Samsung M393B1K70QB0-CK0 8GB
Corsair CMD16GX4M4B3600C18 4GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
Kingmax Semiconductor GLLG42F-18---------- 8GB
Kingston ACR26D4U9S8MH-8 8GB
AMD R538G1601U2S-UGO 8GB
Samsung M393B5270CH0-CH9 4GB
Kingston KHX2133C14D4/4G 4GB
Kingmax Semiconductor KLDD48F-B8KU5 1GB
Team Group Inc. TEAMGROUP-SD4-2133 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CK0 16GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZKY 8GB
A-DATA Technology DDR4 2666 8GB
G Skill Intl F4-4000C19-8GTZKW 8GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD34G16002 4GB
Corsair CMK32GX4M4B3866C18 8GB
Crucial Technology BLT16G4D30AETA.K16FB 16GB
Xinshirui (Shenzhen) Electronics Co V01D4L84GB528528266
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link