RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
16.1
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
41
46
Wokół strony -12% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
13.2
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
41
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
16.1
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
13.2
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 10 11 12 13 14 15 16 17 18 19 20 21 22 23
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2870
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB Porównanie pamięci RAM
Crucial Technology BLS4G4D240FSE.8FBD 4GB
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BL8G32C16S4B.8FE 8GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
G Skill Intl F4-3000C16-16GISB 16GB
Nanya Technology NT4GC72B4NA1NL-CG 4GB
Kingston KF3200C18D4/8G 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Micron Technology 18ASF2G72PDZ-2G6H1R 16GB
Crucial Technology CT102464BF160B-16F 8GB
Panram International Corporation PUD42400C154G4NJK 4GB
Kingston KVR800D2N6/2G 2GB
Kingston HX424C15FB/8 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Corsair CMU64GX4M4C3000C15 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HMT31GR7AFR4C
Ramaxel Technology RMUA5110MD78HAF-2666 8GB
Kingston 9965516-112.A00LF 16GB
A-DATA Technology AO1P24HC4N2-BYNS 4GB
Samsung M471B1G73QH0-YK0 8GB
G Skill Intl F4-4000C18-16GTZR 16GB
Kingston 9905403-061.A00LF 2GB
Kingston 9965589-008.D01G 8GB
Ramaxel Technology RMT3160ED58E9W1600 4GB
Corsair CMK64GX4M8X4133C19 8GB
A-DATA Technology DOVF1B163G2G 2GB
G Skill Intl F4-2666C19-8GVK 8GB
Kingston 99U5474-023.A00LF 4GB
SK Hynix HMA81GS6CJR8N-UH 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link