RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.6
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
27
46
Wokół strony -70% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
9.8
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
19200
3200
Wokół strony 6 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
27
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.6
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
9.8
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
19200
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-19200, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
15-15-15, 16-16-16, 17-17-17, 18-18-18 / 2400 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2403
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS4G4D240FSA.M8F 4GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Kingston 9905458-017.A01LF 4GB
Corsair CMK8GX4M2D2666C16 4GB
G Skill Intl F3-1333C9-4GIS 4GB
Avexir Technologies Corporation DDR4-2666 CL17 8GB 8GB
Kreton Corporation 51624xxxx68x35xxxx 2GB
G Skill Intl F4-4266C19-4GTZ 4GB
SK Hynix DDR2 800 2G 2GB
Corsair CM4B8G1J2800K14K 8GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) HYMP125S64CP8
G Skill Intl F4-3333C16-16GTZB 16GB
Samsung 1600 CL10 Series 8GB
Kingston 9905663-007.A00G 16GB
Kingston 99U5471-030.A00LF 8GB
V-Color Technology Inc. TA48G36S818BNK 8GB
Golden Empire 1GB DDR2 800 CAS=4 1GB
Kingston KF3200C16D4/32GX 32GB
Samsung M471B5273DH0-CH9 4GB
G Skill Intl F4-4000C18-32GTRS 32GB
Kingston KHX2133C11D3/4GX 4GB
Kingston HX316C10F/4 4GB
A-DATA Technology AM2U16BC4P2-B05B 4GB
A-DATA Technology AD4S320038G22-B 8GB
Samsung M393B1G70BH0-YK0 8GB
Corsair CMW64GX4M4K3600C18 16GB
Kingston 9905469-143.A00LF 4GB
Ramaxel Technology RMSA3260ME78HAF-2666 8GB
TwinMOS 8DHE3MN8-HATP 2GB
Crucial Technology CT16G4SFS832A.M8FE 16GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link