RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
17
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
29
46
Wokół strony -59% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
12.6
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
21300
3200
Wokół strony 6.66 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
29
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
17.0
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
12.6
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
21300
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-21300, 1.2V, CAS Supported: 9 10 11 12 13 14 15 16 18 20
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
17-17-17, 18-18-18, 19-19-19, 20-20-20 / 2666 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
3140
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO102408-2400 16GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology BLS8G4D26BFSCK.8FD 8GB
Samsung M393B2G70BH0-CH9 16GB
G Skill Intl F4-4000C16-8GTZR 8GB
Samsung M395T2863QZ4-CF76 1GB
Kingston HP24D4U7S8MBP-4 4GB
Wilk Elektronik S.A. GR1333D364L9/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2400D464L17S/8G 8GB
Kingston 9905403-156.A00LF 2GB
Crucial Technology CT16G4SFD8266.C16FE 16GB
Crucial Technology CT25664AA800.M16FM 2GB
Mushkin MR[ABC]4U360JNNM8G 8GB
Kingston KVT8FP-HYC 4GB
Mushkin MRX4U300GJJM16G 16GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Team Group Inc. Team-Elite-2400 4GB
Kingston ACR16D3LS1NGG/4G 4GB
Wilk Elektronik S.A. IRH2666D464L19/16G 16GB
SK Hynix HMT325S6BFR8C-H9 2GB
Samsung M471A5143SB1-CRC 4GB
Kingmax Semiconductor FLFE85F-C8KL9 2GB
Corsair CMD16GX4M2B3600C18 8GB
SK Hynix HMT325S6CFR8C-H9 2GB
Panram International Corporation D4N2400PS-8G 8GB
Crucial Technology CT51264AC800.C16FC 4GB
Kingston 99U5678-029.A00G 8GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
G Skill Intl F4-3200C14-8GTZRX 8GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link