RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Menu
RAMs
RAM
DDR5
DDR4
DDR3
DDR2
About the site
Русский
English
Español
Português
Deutsch
Français
Italiano
Polski
中文
日本語
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Porównaj
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB vs Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Wynik ogólny
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Wynik ogólny
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Różnice
Specyfikacje
Uwagi
Różnice
Powody do rozważenia
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Zgłoś błąd
Większa szybkość odczytu, GB/s
2
13.9
Średnia wartość w badaniach
Powody do rozważenia
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Zgłoś błąd
Poniżej opóźnienia w testach PassMark, ns
31
46
Wokół strony -48% niższe opóźnienia
Większa szybkość zapisu, GB/s
8.0
1,519.2
Średnia wartość w badaniach
Wyższa przepustowość pamięci, mbps
17000
3200
Wokół strony 5.31 większa szerokość pasma
Specyfikacje
Pełna lista specyfikacji technicznych
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
Główna charakterystyka
Typ pamięci
DDR2
DDR4
Opóźnienie w PassMark, ns
46
31
Prędkość odczytu, GB/s
2,909.8
13.9
Prędkość zapisu, GB/s
1,519.2
8.0
Szerokość pasma pamięci, mbps
3200
17000
Other
Opis
PC2-3200, SSTL 1.8V, CAS Supported: 3 4 5
PC4-17000, 1.2V, CAS Supported: 9 11 12 13 14 15 16 17 18 19
Taktowanie / szybkość zegara
3-3-3-12 / 400 MHz
14-14-14, 15-15-15, 16-16-16 / 2133 MHz
Ranking PassMark (im więcej tym lepiej)
241
2236
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB Porównanie pamięci RAM
Samsung M4 70T3354BZ0-CCC 256MB
Kreton Corporation 51621xxxx68x35xxxx 2GB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB Porównanie pamięci RAM
Hoodisk Electronics Co Ltd GKE160SO102408-2666 16GB
SK Hynix HYMP31GF72CMP4D5Y5 8GB
RAM Latency Calculator
Calculate Ram speed clock interval in nanosecond format
RAM 1
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
RAM 2
CAS Latency (CL) *
Frequency (Mhz) *
calculate
Absolute Latency
0 ns
Najnowsze porównania
Samsung M3 78T3354BZ0-CCC 256MB
Crucial Technology CT16G4DFD8213.M16FB 16GB
G Skill Intl F3-1866C8-8GTX 8GB
G Skill Intl F4-3200C16-16GTZ 16GB
Corsair CMX8GX3M2A2000C9 4GB
Kingston KHX2400C15S4/8G 8GB
Kingston KF556C40-16 16GB
Crucial Technology CT16G48C40U5.M8A1 16GB
Kingston 99U5474-038.A00LF 4GB
Kingston KHX2400C15D4/16GX 16GB
Kingston MSI16D3LS1KBG/8G 8GB
Kingston KVR16N11/8-SP 8GB
A-DATA Technology ADOVE1A0834E 1GB
Crucial Technology CT4G4SFS8266.M8FE 4GB
Hynix Semiconductor (Hyundai Electronics) GKE160SO10240
Corsair CMW64GX4M8C3200C16 8GB
Micron Technology 18HTF12872AY-800F1 1GB
Kingston X2YH1K-MIE-NX 16GB
Samsung M378B5773DH0-CH9 2GB
Apacer Technology 78.C2GFA.AF30B 8GB
Hexon Technology Pte Ltd HEXON 1GB
G Skill Intl F4-3600C14-16GTRS 16GB
A-DATA Technology DQKD1A08 1GB
Patriot Memory (PDP Systems) PSD48G266681S 8GB
Samsung M393B5170FH0-CH9 4GB
SK Hynix HMAA4GS6CJR8N-XN 32GB
Kingston 99U5595-005.A00LF 2GB
Kingston 9905595-010.A00LF 2GB
Zgłoś błąd
×
Bug description
Source link